Sonderforschungsbereich 546
"Struktur, Dynamik und Reaktivität
von Übergangsmetalloxid-Aggregaten"
Teilprojekt C10
Allgemeine Angaben
Thema: |
Unbesetzte elektronische Zustände
von Übergangsmetalloxid-Oberflächen und deponierten Clustern
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Fachgebiete
und Arbeitsrichtung: |
Experimentalphysik,
Oberflächenphysik, Elektronenspektroskopie
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Leiter:
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Prof. Dr. Recardo Manzke
Institut für Physik
Humboldt-Universität zu Berlin
Unter den Linden 6
10099 Berlin
Telefon: 030 2093-7853
Telefax: 030 2093-7795
E-Mail-Adresse: recardo.manzke@physik.hu-berlin.de
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Beschreibung
Ziel des Teilprojekts ist ein mikroskopisches
Verständnis der elektronischen Struktur der Oberflächen, dünnen Schichten und
adsorbierten Cluster von Übergangsmetalloxiden in Hinblick auf ihre katalytische
Wirksamkeit. Die impulsaufgelöste elektronische Bandstruktur bildet dabei die
Grundlage für theoretische Modelle und nahezu alle makroskopischen Eigenschaften
der Übergangsmetalloxide, die im Besetzten, aber insbesondere in diesem Teilprojekt
auch im Unbesetzten experimentell bestimmt und direkt mit Rechnungen eines theoretischen
Teilprojekts verglichen werden soll. Die Experimente nutzen die Kombination
der winkelaufgelösten Methoden Photoemission und inverse Photoemission in einer
Messapparatur. Dieses macht es möglich, die besetzten und unbesetzten Zustände
in situ, an ein und derselben Oberfläche zu studieren, was insbesondere für
die Reproduzierbarkeit bei Adsorptionsuntersuchungen von großem Vorteil ist.
Darüber hinaus kann durch Eichung beider Spektroskopien auf eine gemeinsame
Energieachse die besetzte und unbesetzte impulsaufgelöste elektronische Struktur
aneinander angepasst und die (Oberflächen)-Bandlücken an beliebigen hochsymmetrischen
Punkten sehr genau bestimmt werden. Ergänzt werden die impulsaufgelösten Untersuchungen
durch Messungen der Zustandsdichte, u.z. im Unbesetzten durch Röntgen-Absorptionsspektroskopie,
womit sowohl oberflächennahe als auch tiefere Schichten untersucht und die elementspezifische
Zustandsdichte bestimmt werden können, und im Besetzten und Unbesetzten mit
hoher Ortsauflösung durch die Raster-Tunnelspektroskopie. Zu Beginn des Projektes
sollen die reinen Oberflächen der verschiedenen Vanadiumoxide untersucht werden,
insbesondere die Volumen- und Oberflächenzustände (‚dangling bonds’) beiderseits,
nahe der Fermi-Energie. Diese bestimmen nahezu alle Eigenschaften der Oberflächen,
d.h. auch die Reaktivität der Übergangsmetalloxide, die für die katalytisch
relevanten Reaktionen am Ende der Laufzeit studiert werden soll. Für die inverse
Photoemission an schwach dotierten Halbleitern müssen die Versuchsbedingungen
sehr sorgfältig eingestellt werden, wobei hinsichtlich Aufladung und Zerstörung
der Oberfläche die Proben hinreichend dünn bzw. das Ultrahochvakuum
extrem gut sein müssen. Untersuchungen an dünnen Volumenkristallen
des TP C4 und an nach den Erfahrungen des ehemaligen TP C2 auf Cu3Au
und mittels van der Waals-Epitaxie selbst hergestellten dünnen Schichten
sind problemlos möglich. Wichtig ist hier der Einfluss auf die elektronische
Struktur durch z.B. verschieden polare Oberflächen, Rekonstruktionen oder
Defekte. An eine Erweiterung der Experimente auf andere Oxidaggregate, wie adsorbierte
Cluster unterschiedlicher Größe und Dichte auf reaktiven und inerten
Substraten, ist zukünftig ebenfalls gedacht.
Publikationen